Die beiden Unternehmen wollten neue Fertigungstechnologien mit noch feineren Chipstrukturen entwickeln, teilte Infineon am Donnerstag in München mit. Das Projekt beginne sofort, voraussichtlich 2008 würden erste Speicherprodukte mit dem neuen 60-Nanometer-Fertigungsverfahren auf 300-mm-Siliziumscheiben (Wafern) produziert. Die neue Fertigungstechnik werde im Infineon-Werk in Dresden entwickelt und später von beiden Unternehmen und auch von der Gemeinschaftsfirma Inotera Memories in Taiwan eingesetzt.
Im stark durch Preiswettbewerb geprägten Chipmarkt kommt neuen Fertigungstechnologien mit immer feineren Chipstrukturen und dem entsprechenden Kostenvorteil entscheidende Bedeutung zu. Durch eine engere Fertigungsstruktur können mehr Chips pro Siliziumscheibe gefertigt werden. Im Juni hatte Infineon erst mit der Fertigung in der 90-nm-Technik begonnen, wodurch aus einem Wafer 30 Prozent mehr Chips gewonnen werden können. Bei dieser Technik und auch bei der Entwicklung des nächsten Technologieschritts der 70-Nanometer-Fertigung arbeitet Infineon ebenfalls mit Nanya zusammen.
Mit der Einführung der 70-Nanometer-Technologie bei Speicherchips will Infineon 2006 mit Branchenführer Samsung gleichziehen. Die Entwicklung des nächsten Technologieschritts solle erreichen, dass Infineon dabei auf keinen Fall wieder in Rückstand gerate, hieß es.
Der Ausbau der erfolgreichen strategischen Partnerschaft mit Nanya zur Entwicklung der 60-nm-Technologie ermöglicht eine erhebliche Produktivitätssteigerung bei der Fertigung von DRAMs, sagte der Chef der Infineon-Speichersparte, Kin Wah Loh. Infineon hatte zuletzt unter anderem wegen des enormen Preiswettbewerbs auf dem Chipmarkt hohe Verluste verbucht.
An der Börse legte der Kurs der Infineon-Aktie in einem nahezu unveränderten Gesamtmarkt um 0,25 Prozent auf 8,01 Euro zu.
